专用芯片整体架构由辅助模块与核心模块两大部分组成
辅助模块提供系统支撑,包括参考电压/电流产生、数字通信接口、跨电压域ESD防护等;核心模块则实现高精度神经刺激与低噪声神经信号记录两项关键功能。
1
>8 bit 可编程
<1 μs 精度
5 μA – 10 mA
>20 V
1–10 kHz
< 10 μVrms @ 1–10 kHz
> 100×
<50 μW
内置低压参考电位源和低温漂参考电流
集成 20 MHz 四线 SPI
全芯片 IO 具备 2 kV HBM 高压 ESD 保护,满足植入式系统可靠性要求
实现不同电压域之间的隔离与保护
提供高精度、宽范围可编程电流输出
覆盖 AP/LFP 频带,提供低噪声读取链路
< 1 μs 精度
> 20 V
< 50 μW