μSEEG 深度电极（Stereotactic EEG）

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设备核心参数

前沿硬件
算法引擎

电极直径：

0.8 mm
接触点设计：

柱状宏微混合电极，触点尺寸 20–100 μm，支持 LFP 与 Spike双模式高分辨率记录
每根接触数：

64–128 个
电极间距：

宏电极记录点间距控制在 3 mm 以内，确保均匀覆盖；记录区有效长度 16–56 mm
总轨迹数：

临床常规植入 5–15 轨迹（根据手术规划灵活调整）
系统特性：

采用立体定向神经导航系统精确植入；临床植入时长多不超过 30 天；具备良好 MRI 兼容性
主要优势：

实现脑深部精准多点采样，显著提升癫痫病灶定位准确性，并支持 AI 辅助信号分析与病灶识别

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设备核心参数

辅助模块
核心模块
神经刺激模块
神经信号记录模块
辅助与系统级功能
其他

参考电压/电流模块：

内置低压参考电位源和低温漂参考电流
数字通信接口：

集成 20 MHz 四线 SPI
ESD 防护：

全芯片 IO 具备 2 kV HBM 高压 ESD 保护，满足植入式系统可靠性要求
多电压域兼容：

实现不同电压域之间的隔离与保护

电流刺激电路：

提供高精度、宽范围可编程电流输出
神经信号记录电路：

覆盖 AP/LFP 频带，提供低噪声读取链路

电流分辨率：

>8 bit 可编程
时间分辨率：

< 1 μs 精度
输出电流范围：

5 μA – 10 mA
输出电压范围：

> 20 V

频带覆盖：

1–10 kHz
输入参考噪声：

< 10 μVrms @ 1–10 kHz
信号增益：

> 100×
单通道功耗：

< 50 μW

低温漂参考电压与电流源
2 kV HBM ESD 高压保护 IO
20 MHz、4-wire SPI 数字接口

拟集成输出电压检测模块，便于实时监测电极阻抗/安全边界
拟集成动态主动电荷平衡模块与抗伪迹模块，便于支持闭环神经调控所需的低延迟刺激与伪迹抑制

全场景深度覆盖

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科学验证

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